继三星电子开始交付全球首批HBM4E样品,样品月星已领SK海力士也在加速其样品交付进程。交付竞争加剧将提
根据韩媒报道称,海力业内人士透露,士或SK海力士预计最早在本月(6月)开始向主要客户发货HBM4E样品,前至最迟下个月也会开始,先步这一时间比原先计划提前。样品月星已领SK海力士此前在第一季度财报电话会议上提到,交付竞争加剧将提将在下半年提供样品。海力业内人士认为,士或考虑到HBM4E计划于明年开始量产,前至客户的先步验证和优化工作不可或缺,因此样品的样品月星已领供应即将来临。
HBM(高带宽存储器)是交付竞争加剧将提AI加速芯片的关键部件,其带宽和容量直接影响AI训练与推理的海力效率。目前,HBM市场主要由三星、SK海力士和美光主导,其中SK海力士在市场份额上处于领先地位。HBM4E为第七代HBM,预计将应用于英伟达下一代AI加速器“Rubin Ultra”,该产品预计明年发布。6月2日,黄仁勋访问了在台湾举行的2026年台北国际电脑展,并在SK海力士的HBM4E晶圆上留言:“请多生产一些。”
SK海力士将在HBM4E核心芯片上采用1纳米工艺,基础裸片则由台积电使用3纳米工艺制造。SK集团董事长崔泰元在台北国际电脑展表示:“只要客户准备好,我们就随时准备好。”他补充称:“目前,我们只有一家HBM4E客户。”
在HBM市场上,样品交付的时机至关重要。由于下一代HBM是根据客户需求定制的,更快的样品交付能帮助客户更快完成性能验证及优化,从而在量产竞争中占得先机。5月29日,三星宣布已开始向全球主要客户交付首批12层48GB HBM4E样品,并计划在完成初步样品交付与优化后根据客户的进度安排开展批量生产。
业内人士表示:“对于HBM来说,除了性能,交货时间和客户认证等进度安排同样重要。”他补充道:“今年下半年,三星与SK海力士之间的供应竞争将更加激烈。”
此外,美光的HBM4产能提升顺利,预计在2027年实现HBM4E的量产,其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺,并首次在量产工艺中引入EUV光刻设备,基础裸片将委托台积电制造。
TrendForce之前指出,三大供应商正逐步将行业焦点从良率竞争转向价格权与下世代规格主导。尽管传统DRAM利润率短期内反超HBM,供应商仍保持均衡产品组合,并看好HBM长期合同价格的上涨。目前,除了HBM,其他类型的DDR及消费级存储在经历多轮涨价后价格已高企,而HBM的涨价潜力尚未完全释放。
本文转载自财联社,官网编辑:陈宇锋。